Характеристики ик-фоточувствительности инжекционных insb-фотодиодов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorШевчук, О. Б.
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorГрадобоев, А. А.
dc.date.accessioned2018-05-31T12:02:50Z
dc.date.available2018-05-31T12:02:50Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследованы характеристики инфракрасной фоточувствителъности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Обсуждаются особенности технологии изготовления структур. Показано, что чувствительность приемников определяется уровнем модуляции проводимости базы инжекционным током. На основе p-InSb могут быть созданы высокочувствительные фотоприемники для области спектра X = 8—12 мкм.uk
dc.identifierУДК 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16403
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 9.
dc.subjectфотодиодuk
dc.subjectфоточувствителъностьuk
dc.subjectинжекционный токuk
dc.subjectспектрuk
dc.titleХарактеристики ик-фоточувствительности инжекционных insb-фотодиодовuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
86-89.pdf
Розмір:
190.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics