CONDUCTIVITY MECHANISM IN THIN NANOCRYCTALLINE TIN OXIDE FILMS

dc.contributor.authorViter, Roman V.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorKonup, Ihor P.
dc.contributor.authorNitsuk, Yuriy A.
dc.contributor.authorIvanytsia, Volodymyr O.
dc.contributor.authorВитер, Роман Витальевич
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorКонуп, Игорь Петрович
dc.contributor.authorНицук, Юрий Андреевич
dc.contributor.authorИваница, Владимир Алексеевич
dc.contributor.authorВітер, Роман Віталійович
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorКонуп, Ігор Петрович
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович
dc.contributor.authorІваниця, Володимир Олексійович
dc.date.accessioned2010-09-09T12:32:02Z
dc.date.available2010-09-09T12:32:02Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractStructural properties of tin oxide nanocryastalline films have been investigated by means of atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction (XRD) methods. Surface morphology, roughness, crystalline size and lattice strain have been estimated. Current-voltage characteristics (I-V) have been measured at different temperatures. Temperature dependence of current has been studied. Activation energies have been evaluated and conductivity mechanism has been proposed. Структурные свойства нанокристаллических плёнок оксида олова были изучены при помощи методов атомной силовой микроскопии и дифракции рентгеновского излучения. Были определены морфология поверхности, величины ее шероховатости, размеров кристаллитов и механического напряжения кристаллической решетки. Вольт-амперные характеристики образцов были изучены при разных температурах. Температурная зависимость темнового тока была изучена. Энергии активации проводимости были определены. Структурні властивості нанокристалічних плівок оксиду олова було досліджено за допомогою методів атомної силової мікроскопії та дифракції рентгенівського випромінювання. Було визначено морфологія поверхні, величини її неоднорідност і, розмірів кристалітів та механічного напруження кристалічної гратки. Вольт-амперні характеристики зразків було досл іджено при різних температурах. Температурну залежність темнового струму було побудовано. Енергії активації провідност і були визначені.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/261
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - Р. 4 - 8.
dc.subjecttin oxideuk
dc.subjectnanocrystalline filmsuk
dc.subjectI-V characterizationuk
dc.subjectXRDuk
dc.subjectAFMuk
dc.subjectоксид оловаuk
dc.subjectвольт-амперные характеристикиuk
dc.subjectатомная силовая микроскопия и дифракция рентгеновского излученияuk
dc.subjectоксид оловаuk
dc.subjectвольт-амперні характеристикиuk
dc.subjectатомна силова мікроскопія та дифракція рентгенівського випромінюванняuk
dc.titleCONDUCTIVITY MECHANISM IN THIN NANOCRYCTALLINE TIN OXIDE FILMSuk
dc.title.alternativeМЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛEНКАХ ОКСИДА ОЛОВАuk
dc.title.alternativeМЕХАНІЗМ ПРОВІДНОСТІ В ТОНКИХ НАНОКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВКАХ ОКСИДУ ОЛОВАuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_4-8.pdf
Розмір:
196.22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Зібрання