Фізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorЄгоров, В. В.
dc.contributor.authorКаніщева, Н. А.
dc.contributor.authorКозел, В. В.
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.contributor.authorYegorov, V. V.
dc.contributor.authorKanischeva, N. A.
dc.contributor.authorKozel, V. V.
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.contributor.authorЕгоров, В. В.
dc.contributor.authorКанищева, Н. А.
dc.contributor.authorКозел, В. В.
dc.date.accessioned2010-09-23T12:44:40Z
dc.date.available2010-09-23T12:44:40Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractАналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов. The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespective of their magnetic axis orientation. The BMS's sensitivity mechanisms having the charge mobility as the determining parameter allow a in-single model notion, and can be viewed as a single redistribution mechanism. When determined by transduction efficiency, the BMS magnetic sensitivity is quite correctly described by one-dimensional continuity equation irrespective of the boundary conditions. Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/541
dc.relation.ispartofseries;№ 1.
dc.subjectнапівпровідникові структуриuk
dc.subjectмагніточутливі структуриuk
dc.subjectмагнітотран-зисториuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectsemiconductor structuresuk
dc.subjectmagnetosensing structuresuk
dc.subjectmagnetotransistorsuk
dc.subjectmodellinguk
dc.subjectполупроводниковые структурыuk
dc.subjectмагниточувствительные структурыuk
dc.subjectмагнитотранзисторыuk
dc.subjectмоделированиеuk
dc.titleФізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурахuk
dc.title.alternativePhysical and modelling concepts of galvanomagnetic effects in bipolar semiconductor structuresuk
dc.title.alternativeФизические и модельные представления о гальваномагнитных еффектах в биполярных полупроводниковых структурахuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
8- 17.pdf
Розмір:
331.1 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології