Тонкая структура углового распределения излучения полупроводниковых лазеров

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.date.accessioned2018-05-31T12:01:02Z
dc.date.available2018-05-31T12:01:02Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractИзучено угловое распределение Фф(ф) (в плоскости, перпендикулярной к р-п-пере- ходу) в дальнем поле и ближнее поле излучения полупроводниковых лазеров с полосковой геометрией на основе GaAs-AlGaAs. Наблюдались осцилляции Фф(<р) для излучения ТЕ моды и отсутствовали в ТМ моде. Тонкая структура Ф9(ср) объясняется неоднородностью показателя преломления в резонаторе и может быть использована для оценки данной неоднородности.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.uriУДК 621.319
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16401
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 8.
dc.subjectизлучение полупроводникового лазераuk
dc.subjectугловое распределение излученияuk
dc.subjectдиодный лазерuk
dc.titleТонкая структура углового распределения излучения полупроводниковых лазеровuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.6-12.pdf
Розмір:
312.21 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics