Effects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorChemeresiuk, Heorhii H.
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторович
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович
dc.date.accessioned2010-09-10T07:21:32Z
dc.date.available2010-09-10T07:21:32Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. – Одесса : Астропринт, 2009.uk
dc.description.abstractThe critical modes of illumination for samples with sensitization centers by exciting and quenching light were investigated. And the conditions when the spectral distribution of infrared quenching coefficient changed qualitatively have been founded. Disappearance of quenching shortwave maximum within the range of 1000 m connected with photoexcitation of holes from R-centers under the high intrinsic conductivity. The anomalous shape of quenching curve without long-wave maximum in the range of 1400 m was obtained. The observed dependence is explained by the decrease of quantum yield for infrared illumination.en
dc.description.abstractИсследованы критические режимы освещения возбуждающим и гасящим светом образцов с центрами очувствления. Оределены условия, при которых спектральное распределение коэффициента инфракрасного гашения претерпевает качественные изменения. Исчезновение коротковолнового максимума гашения в области 1000нм связано с фотовозбуждением дырок с R — центров в условиях большой собственной проводимости. Определён аномальный вид кривой гашения без длинноволнового максимума в области 1400нм. Наблюдаемая зависимость объясняется уменьшением квантового выхода для инфракрасного излучения.ru
dc.description.abstractДосліджені критичні умови засвітлення збуджуючим і гаснучим світлом зразків з центрами чутливості. Знайдені умови, при яких спектральний розподіл коефіціента інфрачервоного гасіння відчуває якісні зміни. Зникнення короткохвильового максимума гасіння в області 1000нм пов`язано з фотозбудженням дірок з R — центрів за умов більшої власної провідності. Розраховано аномальний вигляд кривої гасіння без довгохвильового максимума в області 1400нм. Спостерігаєма залежність пояснюється зменьшенням квантового виходу для інфрачервоного випромінювання.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/274
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18
dc.subjectquantum yielduk
dc.subjectspectral distributionuk
dc.subjectinfrared illuminationuk
dc.subjectносители зарядаuk
dc.subjectинфракрасное излучениеuk
dc.subjectквантовый выходuk
dc.subjectносії зарядуuk
dc.subjectінфрачервоне випромінюванняuk
dc.subjectквантовий вихідuk
dc.titleEffects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited statesuk
dc.title.alternativeЭффекты, связанные со взаимодействием носителей заряда с основным и возбужденным состоянием R-центровuk
dc.title.alternativeЕфекти, пов'язані зі взаємодією носіїв заряду з основним і збудженим станом R-центрівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
84-87.pdf
Розмір:
93.05 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics