THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorKulinich, O. A.
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.contributor.authorChemeresiuk, Heorhii H.
dc.contributor.authorYatsunskiy, I. R.
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorКулинич, О. А.
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович
dc.contributor.authorЯцунский, Игорь Ростиславович
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorКулініч, О. А.
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович
dc.contributor.authorЯцунський, Ігор Ростиславович
dc.date.accessioned2010-09-10T08:57:19Z
dc.date.available2010-09-10T08:57:19Z
dc.date.issued2008
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.uk
dc.description.abstractThe near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/284
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 17. - Р. 61 - 63.
dc.titleTHE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMSuk
dc.title.alternativeИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯuk
dc.title.alternativeДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Fotoel_17_61-63.pdf
Розмір:
237.65 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics