ХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorБлажнова, О. А.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2013-12-02T07:14:26Z
dc.date.available2013-12-02T07:14:26Z
dc.date.issued2008
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractДосліджено вплив парів аміаку, води та етилену в навколишній атмосфері на стаціонарні вольт-амперні характеристики (ВАХ) прямого і зворотного струмів у р-n переходах на основі InGaN. Вимірювання проводилися на р-n структурах, оптимізованих для виготовлення світловипромінювальних діодів (СВД). Ширина забороненої зони потрійної сполуки в р-n структурах складала 2,46 еВ (для зелено-голубих СВД), 2,64 еВ ( для синіх СВД) і 3,1 еВ ( для фіолетових СВД). Парціальний тиск парів аміаку змінювався зміною концентрації NH3 у його водному розчині, над яким знаходився р-n перехід. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів у р-n переходах при зміні складу навколишньої атмосфериuk
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4007
dc.language.isoukuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;С. 81
dc.subjectр-n переходиuk
dc.subjectInGaNuk
dc.subjectпари аміакуuk
dc.subjectгазові сенсориuk
dc.titleХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
81.pdf
Розмір:
32.23 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ