EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorYemets, O. V.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorЕмец, Е. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorЄмець, О. В.
dc.date.accessioned2010-09-09T11:00:08Z
dc.date.available2010-09-09T11:00:08Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractThe influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance both the forward and reverse currents. The gas sensitivity of p-n structures at forward biases is due to enhanced surface recombination, while at reverse biases a surface conductive channel shorts the p-n junction. The sensitivity to ammonia is much higher than to other vapors. It is explained as a result of donor properties of NH molecules. The response time of silicon p-n junctions as gas sensors at room temperature is below 60s. Исследовано влияние паров аммиака, воды и этилена на ВАХ прямого и обратного токов, а также на кинетику поверхностного тока в кремниевых p-n структурах. Все указанные пары повышают и прямой, и обратный токи. Газовая чувствительность p-n структур при прямом смещении обусловлена ростом интенсивности поверхностной рекомбинации, а при обратном смещении проводящий канал закорачивает p-n переход. Чувствительность к аммиаку значительно выше, чем к другим парам. Это объясняется донорными свойствами молекул NH3. Время срабатывания кремниевых p-n переходов как газовых сенсоров при комнатной температуре не превышает 60 с. Досліджено вплив парів аміаку, води і етилену на ВАХ прямого і зворотного струмів, а також на кінетику поверхневого струму в кремнієвих p-n структурах. Всі указані пари підвищують і прямий, і зворотний струми. Газова чутливість p-n структур при прямому зміщенні обумовлена зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, а при зворотному зміщенні провідний канал закорочує p-n перехід. Чутливість до аміаку значно вища, ніж до інших парів. Це пояснюється донорними властивостями молекул NH3. Час спрацювання кремнієвих p-n переходів як газових сенсорів при кімнатній температурі не перевищує 60 с.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/252
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - С. 28 - 32.
dc.subjectambient atmosphereuk
dc.subjectsurface currentuk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectповерхностный токuk
dc.subjectокружающая атмосфераuk
dc.subjectкремнийuk
dc.subjectповерхневий струмuk
dc.subjectнавколишня атмосфераuk
dc.subjectкремнійuk
dc.titleEFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONSuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ОКРУЖАЮЩЕЙ АТМОСФЕРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В КРЕМНИЕВЫХ P-N ПЕРЕХОДАХuk
dc.title.alternativeВПЛИВ НАВКОЛИШНЬОЇ АТМОСФЕРИ НА ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У КРЕМНІЄВИХ P-N ПЕРЕХОДАХuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_28-32.pdf
Розмір:
113.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics