MICROSTRUCTURAL FEATURES AND COMPONENTIAL ANALYSIS OF THIN FILM CdS-Cu2S PHOTOSENSING STRUCTURES AS ELEMENT OF IMAGE SENSOR

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorZubrytskyi, Serhii V.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorЗубрицкий, Сергей Всеволодович
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторович
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorЗубрицький, Сергій Всеволодович
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.date.accessioned2014-01-25T10:30:41Z
dc.date.available2014-01-25T10:30:41Z
dc.date.issued2013
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.uk
dc.description.abstractThe mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism of the observed two-stage process was determined. Microscopic techniques (AFM, SEM) were used to estimate HJ properties (grain size, roughness) and their relations with HJ processing parameters. Novel results concerning CdS-Cu2S HJ surface morphology and impurities depth distribution were obtained. In particular, the question of observed variation of surface photosensitivity and components interdiffusion on heteroborder were clarified. Also the comparison of samples formed by two different methodics (electrodynamical spraying and vacuum evaporation techniques) was made. X-Ray diffraction (XRD) was performed in order to detect Cu-S compounds at CdS - Cu2S heterojunctions, fabricated by the vacuum deposition of CdS on a glass substrate and Cu2S layer, formed in substitution mode. The distribution of several stoichiometric phases of copper (I) sulfide was obtained as main result.uk
dc.description.abstractВ работе были исследованы механизмы релаксации сигнала, связанные с процессами удаления неравновесного заряда из области пространственного заряда сенсора изображения на основе неидеального гетероперехода и их связь со структурными особенностями и компонентным составом образцов. Были использована комбинация микроскопических методик (ACM, РЭМ) для оценки морфологических свойств поверхности (размер зерна, шероховатость) и их отношений с технологическими параметрами при получении гетероструктур. Были получены новые результаты, касающиеся морфологии поверхности и глубины распределения примесей. В частности, были уточнены вопросы о наблюдаемом изменении фоточувствительности поверхности и взаимной диффузии компонентов на гетерогранице. Кроме того, проведено сравнение образцов, полученных двумя различными методиками (электродинамическое распыление раствора методы вакуумного испарения). Также применялся рентгеноструктурный анализ с целью выявления различных фаз Cu-S в гетеропереходах, изготовленных вакуумным напылением на стеклянной подложке. В качестве основного результата получено распределение стехиометрических фаз сульфида меди (I) в исследуемых сенсорных структурах.uk
dc.description.abstractУ роботі були досліджені механізми релаксації сигналу, пов’язані з процесами видалення не-рівноважного заряду з області просторового заряду сенсора зображення на основі неідеального гетероперехода та їх зв’язок із структурними особливостями і компонентним складом зразків . Була використана комбінація мікроскопічних методик (ACM, РЕМ) для оцінки морфологічних особливостей поверхні (розмір зерна , шорсткість) та їх зв’язку з технологічними параметрами при формуванні гетероструктур. Були отримані нові результати, що стосуються морфології поверхні і глибини розподілу домішок . Зокрема , були уточнені питання про спостережувану зміну фоточутливості поверхні і взаємну дифузію компонентів на гетерограниці. Крім того, проведено порівняння зразків, отриманих двома різними методиками (електродинамічне розпилювання розчину та метод вакуумного випаровування). Також застосовувався рентгено-структурний аналіз з метою виявлення різних фаз сполуки Cu-S у гетеропереходах, виготовлених вакуумним напиленням на скляній підкладці. В якості основного результату отримано розподіл стехіометричних фаз сульфіду міді (І)в досліджуваних сенсорних структурах.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4324
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 22, p. 98-102
dc.subjectheterojunctionuk
dc.subjectimage sensoruk
dc.subjectsurface morphologyuk
dc.subjectXRD analysisuk
dc.subjectгетеропереходuk
dc.subjectсенсор изображенияuk
dc.subjectрелаксация сигналаuk
dc.subjectморфология поверхностиuk
dc.subjectрентгеноструктурный анализuk
dc.subjectсенсор зображенняuk
dc.subjectрелаксація сигналуuk
dc.subjectморфологія поверхніuk
dc.subjectрентгеноструктурний аналізuk
dc.titleMICROSTRUCTURAL FEATURES AND COMPONENTIAL ANALYSIS OF THIN FILM CdS-Cu2S PHOTOSENSING STRUCTURES AS ELEMENT OF IMAGE SENSORuk
dc.title.alternativeМИКРОСТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ И КОМПОНЕНТНЫЙ АНАЛИЗ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ CdS-Cu2Suk
dc.title.alternativeМІКРОСТРУКТУРИ ОСОБЛИВОСТІ ТА КОМПОНЕНТНИЙ АНАЛІЗ ТОНКОПЛІВКОВИХ ФОТОЧУТЛИВИХ ЕЛЕМЕНТІВ CdS-Cu2Suk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
98-102.pdf
Розмір:
1009.54 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics