P-n переходи на основі InGaN з квантовою ямою як газові сенсори

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2010-09-24T12:04:41Z
dc.date.available2010-09-24T12:04:41Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationСенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-4) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-4)uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/560
dc.publisherАстропринтuk
dc.titleP-n переходи на основі InGaN з квантовою ямою як газові сенсориuk
dc.typeThesisuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
СЕМСТ-4 тезисы_73.pdf
Розмір:
45.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ