Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМокрицкий, В. А.
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorКурицын, Е. М.
dc.contributor.authorБанзак, О. В.
dc.contributor.authorМокрицький, В. А.
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorКуріцин, Є. М.
dc.contributor.authorБанзак, О. В.
dc.contributor.authorMokritsky, V. A.
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorKuritsyn, E. M.
dc.contributor.authorBanzak, O. V.
dc.date.accessioned2010-09-08T09:02:00Z
dc.date.available2010-09-08T09:02:00Z
dc.date.issued2008
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.uk
dc.description.abstractИсследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ. На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния, используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”. Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3 and 3,0 ÌåV is investigated. On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/223
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 3
dc.subjectрадиацияuk
dc.subjectэлектронuk
dc.subjectэпитаксиальный слойuk
dc.subjectфотоответuk
dc.subjectрадиационная стойкостьuk
dc.subjectрадіаціяuk
dc.subjectелектронuk
dc.subjectепітаксійний шарuk
dc.subjectфотовідгукuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectradiationuk
dc.subjectelectronuk
dc.subjectepetacselition layeruk
dc.subjectphotoansweruk
dc.subjectradiating stabilityuk
dc.titleВлияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основеuk
dc.title.alternativeВплив швидких електронів на властивості епітаксіальних шарів кремнію та параметри фоторезисторів на їх основіuk
dc.title.alternativeEffect of fast-moving electrons on the properties of the epitaxial layers of silicon and the parameters of photoresistors based on themuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
34-39.pdf
Розмір:
177.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології