Rehybridization AT (110) Faces OF Sn02
Вантажиться...
Дата
2001
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Rehybridization of surface atoms and relaxation of (110) face of Sn02 is theoretically
examined. Using molecular mechanics and ab initio data for surface relaxation
we choose the best hybridization related force field for molecular dynamics (MD) simulations.
The most prominent feature of relaxation, surface in-plane oxygen displacement
of the reduced surface outwards of about 0,4 E relative to the bulk position, is
analyzed in details.
Опис
Ключові слова
catalyst, calculations, relaxation, differences
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics