Влияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлия
Вантажиться...
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Анотація
Представлены результаты экспериментального исследования влияния различ-
ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар-
сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в
них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик-
ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе-
ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод-
никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних
способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду
галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно-
рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію.
Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних
мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches
to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration
and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated
fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical
application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality
improvement for semiconductor structures are demonstrated.
Опис
Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –