Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977
Назва: Влияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлия
Інші назви: Вплив температурних полів на поведінку некогерентних неоднорідностей в монокристалах та епітаксійних стуктурах арсеніду галію
Influence of the temperature fields on the behavior of incogerent inhomogeneities in gallium arsenide single crystals and epitaxial structures
Автори: Терлецкая, Л. Л.
Копыт, Николай Харламович
Голубцов, Вячеслав Васильевич
Дата публікації: 2003
Видавництво: Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Серія/номер: ;Вып. 40. - С. 293-297
Короткий огляд (реферат): Представлены результаты экспериментального исследования влияния различ- ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар- сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик- ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе- ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод- никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно- рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію. Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality improvement for semiconductor structures are demonstrated.
Опис: Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977
Розташовується у зібраннях:Фізика аеродисперсних систем

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
fas_40_293-297+.pdf423.08 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.