DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фізика аеродисперсних систем" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977

Название: Влияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлия
Другие названия: Вплив температурних полів на поведінку некогерентних неоднорідностей в монокристалах та епітаксійних стуктурах арсеніду галію
Influence of the temperature fields on the behavior of incogerent inhomogeneities in gallium arsenide single crystals and epitaxial structures
Авторы: Терлецкая, Л. Л.
Копыт, Н. Х.
Голубцов, В. В.
Дата публикации: 2003
Издатель: Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Серия/номер: ;Вып. 40. - С. 293-297
Краткий осмотр (реферат): Представлены результаты экспериментального исследования влияния различ- ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар- сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик- ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе- ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод- никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно- рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію. Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality improvement for semiconductor structures are demonstrated.
Описание: Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977
Располагается в коллекциях:"Фізика аеродисперсних систем"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fas_40_293-297+.pdf423,08 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь