Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977
Title: Влияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлия
Other Titles: Вплив температурних полів на поведінку некогерентних неоднорідностей в монокристалах та епітаксійних стуктурах арсеніду галію
Influence of the temperature fields on the behavior of incogerent inhomogeneities in gallium arsenide single crystals and epitaxial structures
Authors: Терлецкая, Л. Л.
Копыт, Николай Харламович
Голубцов, Вячеслав Васильевич
Issue Date: 2003
Publisher: Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Series/Report no.: ;Вып. 40. - С. 293-297
Abstract: Представлены результаты экспериментального исследования влияния различ- ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар- сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик- ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе- ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод- никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно- рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію. Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality improvement for semiconductor structures are demonstrated.
Description: Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/977
Appears in Collections:Фізика аеродисперсних систем

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fas_40_293-297+.pdf423.08 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.