Исследование структуры ионнолегированного кремния после импульсного лазерного отжига
Вантажиться...
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова
Анотація
Представлены результаты исследования влияния когерентного излучения на
степень активации примеси в ионнолегированных структурах кремния. Рассмот-
рены физические процессы, происходящие в приповерхностной области образ-
цов кремния при воздействии лазерного отжига. Показана возможность суще-
ственного улучшения электрофизических характеристик кремния путем оптими-
зации параметров лазерного излучения. Представлено результати дослідження впливу когерентного випроміню-
вання на ступінь активації домішки в іоннолегованих структурах кремнію.
Розглянуто фізичні процеси, що відбуваються у приповерхневій області зра-
зків кремнію за умов дії лазерного відпалу. Показано можливість суттєвого
поліпшення елекрофізичних характеристик кремнію шляхом оптимізації параметрів лазерного випромінювання. Results of study of the influence of coherent radiation on the degree of impurity
activation in the ion-implantation silicon structures are presented. There are considered
physical proceses in surface region of silicon sample at the laser annealing. It is shown
the possibility of improvement of the electrophysicals characteristics of silicon by
means optimisation of lasers emission parameters.
Опис
Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –
Ключові слова
Бібліографічний опис
Физика аэродисперсных систем