DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фізика аеродисперсних систем" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/928

Название: Исследование структуры ионнолегированного кремния после импульсного лазерного отжига
Другие названия: Дослідження структури іоннолегованого кремнію після імпульсного лазерного відпалу
Investigation of the structure of ion-implantation silicon after the puls laser annealing
Авторы: Терлецкая, Л. Л.
Копыт, Н. Х.
Голубцов, В. В.
Терлецька, Л. Л.
Копит, М. Х.
Голубцов, В. В.
Terletskaya, L. L.
Kopyt, N. Kh.
Golubtsov, V. V.
Дата публикации: 2004
Издатель: Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова
Источник: Физика аэродисперсных систем
Серия/номер: ;Вып. 41. - С. 147 - 151.
Краткий осмотр (реферат): Представлены результаты исследования влияния когерентного излучения на степень активации примеси в ионнолегированных структурах кремния. Рассмот- рены физические процессы, происходящие в приповерхностной области образ- цов кремния при воздействии лазерного отжига. Показана возможность суще- ственного улучшения электрофизических характеристик кремния путем оптими- зации параметров лазерного излучения. Представлено результати дослідження впливу когерентного випроміню- вання на ступінь активації домішки в іоннолегованих структурах кремнію. Розглянуто фізичні процеси, що відбуваються у приповерхневій області зра- зків кремнію за умов дії лазерного відпалу. Показано можливість суттєвого поліпшення елекрофізичних характеристик кремнію шляхом оптимізації параметрів лазерного випромінювання. Results of study of the influence of coherent radiation on the degree of impurity activation in the ion-implantation silicon structures are presented. There are considered physical proceses in surface region of silicon sample at the laser annealing. It is shown the possibility of improvement of the electrophysicals characteristics of silicon by means optimisation of lasers emission parameters.
Описание: Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/928
Располагается в коллекциях:"Фізика аеродисперсних систем"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fas_41_147-151+.pdf141,32 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь