Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt
Вантажиться...
Дата
2007
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
ZnS:Co single crystals were obtained by diffusion-related doping with cobalt. An optical density spectra in the region
of 4-0.38eV are investigated. It is established, that at cobalt doping of crystals, the absorption edge is displaced in lower
energy region. Analogy of ZnS:Co and ZnTe:Co crystals optical absorption spectra is established.
The investigated lines of ZnS:Co absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition
level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Монокристаллы ZnS:Cо получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры
оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения
смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов
ZnS:Co и ZnTe:Co.
Исследуемые линии поглощения ZnS:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного
состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний
4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Монокристали ZnS:Cо отримані методом дифузійного легування кобальтом. Досліджено спектри оптичної густини
в області 4-0.38еВ. Встановлено, що при легуванні кристалів кобальтом край поглинання зміщується в
низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання кристалів ZnS:Co і ZnTe:Co.
Досліджені лінії поглинання ZnS:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану
4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F).
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics