DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/916

Название: STUDIES OF PROCESSES WITHIN SHORT-WAVE THRESHOLD OF PHOTOCURRENT INFRARED QUENCHING
Другие названия: Исследование процессов в области коротковолнового порога инфракрасного гашения фотопотока
Дослідження процесів в області короткохвильового порогу інфрачервоного гасіння фотоструму
Авторы: Dragoev, A. A.
Karakis, Yu. N.
Kutalova, M. I.
Драгоев, А. А.
Каракис, Ю. Н.
Куталова, М. И.
Драгоєв, О. О.
Каракіс, Ю. М.
Куталова, М. І.
Дата публикации: 2007
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: Вип. 16; С. 60-64
Краткий осмотр (реферат): It is shown that spectral position for short-wave threshold of photocurrent infrared quenching can be the indicator for flowing processes of occupation-depletion in recombination traps. It is determined that the competition between photo- excitation and quenching of photocurrent is the characteristic for this spectral region. Thereby, the wavelength of short- wave edge for IR-quenching becomes sensitive to internal exposures. The model explaining the observed changes is developed.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/916
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
photoel_16_2007_60-64+.pdf149,96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь