Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/916
Title: STUDIES OF PROCESSES WITHIN SHORT-WAVE THRESHOLD OF PHOTOCURRENT INFRARED QUENCHING
Other Titles: Исследование процессов в области коротковолнового порога инфракрасного гашения фотопотока
Дослідження процесів в області короткохвильового порогу інфрачервоного гасіння фотоструму
Authors: Dragoev, A. A.
Karakis, Yurii M.
Kutalova, Mariia I.
Драгоев, А. А.
Каракис, Юрий Николаевич
Куталова, Мария Ивановна
Драгоєв, О. О.
Каракіс, Юрій Миколайович
Куталова, Марія Іванівна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2007
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: Вип. 16; С. 60-64
Abstract: It is shown that spectral position for short-wave threshold of photocurrent infrared quenching can be the indicator for flowing processes of occupation-depletion in recombination traps. It is determined that the competition between photo- excitation and quenching of photocurrent is the characteristic for this spectral region. Thereby, the wavelength of short- wave edge for IR-quenching becomes sensitive to internal exposures. The model explaining the observed changes is developed.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/916
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
photoel_16_2007_60-64+.pdf149.96 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.