DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/913

Название: EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS
Авторы: PTASHCHENKO, O. O
PTASHCHENKO, F. O
YEMETS, O. V.
Дата публикации: 2007
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: Вып. 16;С. 89-93
Краткий осмотр (реферат): I V characteristics of forward and reverse currents in silicon p-n junctions were measured in air, in air with ammonia vapors at several partial pressures of NH3, as well as in air after ammonia vapors treatment. The influence of adsorbed ammonia molecules on the forward current is explained by such processes: a) an increase in the surface re- combination rate, caused by the electric field of ammonia ions, which are localized on the external side of the natural oxide layer; b) etching out some surface recombination states. The changes in the forward and reverse currents are reversible, so silicon p-n junctions can be used as ammonia vapors sensors.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/913
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
photoel_16_2007_89-93+.pdf166,26 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь