Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9117
Title: Features luminous conductivity in the crystals treated in a corona discharge
Other Titles: Особливості світлової провідності в кристалах, оброблених у коронному розряді
Особенности световой проводимости в кристаллах, обработанных в коронном разряде
Authors: Minaeva, O. P.
Simanovych, Nadiia S.
Zatovska, Nataliia P.
Karakis, Yurii M.
Kutalova, Mariia I.
Chemeresiuk, Heorhii H.
Мінаева, О. П.
Симанович, А. С.
Затовська, Наталія Петрівна
Каракіс, Юрій Миколайович
Куталова, Марія Іванівна
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Минаева, О. П.
Симанович, А. С.
Затовская, Наталия Петровна
Каракис, Юрий Николаевич
Куталова, Мария Ивановна
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2016
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: luminous conductivity
the crystals
corona discharge
кристали
коронний розряд
світлова провідність
кристаллы
коронный разряд
световая проводимость
Series/Report no.: 25;
Abstract: The technology of processing of semiconductor crystals is developed in the corona discharge. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.
Розроблено технологію обробки напівпровідникових кристалів у коронному розряді. Встановлено, що в результаті цього впливу зразки набувають знакоперемінну спектральну чутливість. Явища, що спостерігаються, пояснені виникненням двосхилого потенційного бар'єра в приповерхній області елемента, незвичайні властивості якого можуть дозволити створення приладу нового типу.
Разработана технология обработки полупроводниковых кристаллов в коронном разряде. Установлено, что в результате этого воздействия образцы приобретают знакопеременную спектральную чувствительность. Наблюдаемые явления объяснены возникновением двухскатного потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создание прибора нового типа.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9117
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
131-140.pdf885.31 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.