Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9116
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.-
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.-
dc.contributor.authorGilmutdinova, Valeriia R.-
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович-
dc.contributor.authorГільмутдінова, Валерія Рафаїлівна-
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович-
dc.contributor.authorГильмутдинова, Валерия Рафаэловна-
dc.date.accessioned2016-12-12T11:10:40Z-
dc.date.available2016-12-12T11:10:40Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9116-
dc.description.abstractThe time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly affects the current decay curves after the ammonia vapors removal.The results are explained in terms of a simple model taking into account a dynamic equilibrium between the free electrons in the conducting channel and electrons on slow surface centers. Each decay curve exponential component is due to the emptying of corresponding centers. The characteristic time of a current decay curve exponential component is determined by the depth and density of the corresponding surface levels, as well as the conducting channel thickness.uk
dc.description.abstractДосліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку і води, в p-n переходах н основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Результати пояснюються в рамках простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих 130 центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною і щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу.uk
dc.description.abstractИсследована кинетика поверхностного тока в n-проводящем канале, обусловленном адсорбцией молекул аммиака и воды, в p-n переходах н основе GaAs. Показано, что наличие паров воды в окружающей среде сильно влияет на кривые спадания тока после удаления паров аммиака. Результаты объясняются в рамках простой модели, которая учитывает динамическое равновесие между свободными электронами в проводящем канале и электронами на медленных поверхностных центрах. Характеристическое время каждой экспоненциальной компоненты кривой спадания тока определяется глубиной и плотностью соответствующих поверхностных уровней, а также толщиной проводящего канала.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries25;-
dc.subjectp-n structureuk
dc.subjectammonia vaporsuk
dc.subjectwater vaporsuk
dc.subjectadsorptionuk
dc.subjectconducting channeluk
dc.subjectcurrent decayuk
dc.subjectsurface centersuk
dc.subjectp-n структураuk
dc.subjectпари аміакуuk
dc.subjectводяні париuk
dc.subjectадсорбціяuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectспадання струмуuk
dc.subjectповерхневі центриuk
dc.subjectпары аммиакаuk
dc.subjectводные парыuk
dc.subjectадсорбцияuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.subjectспадание токаuk
dc.subjectповерхностные центрыuk
dc.titleEffect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctionsuk
dc.title.alternativeВплив парів води на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p-n переходах на основі GaAsuk
dc.title.alternativeВлияние паров воды на кинетику поверхностного тока, индуцированного адсорбцией молекул аммиака в p-n переходах на основе GaAsuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
126-130.pdf355.7 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.