Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions
Вантажиться...
Дата
2016
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly affects the current decay curves after the ammonia vapors removal.The results are explained in terms of a simple model taking into account a dynamic equilibrium between the free electrons in the conducting channel and electrons on slow surface centers. Each decay curve exponential component is due to the emptying of corresponding centers. The characteristic time of a current decay curve exponential component is determined by the depth and density of the corresponding surface levels, as well as the conducting channel thickness.
Досліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку і води, в p-n переходах н основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Результати пояснюються в рамках простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих 130 центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною і щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу.
Исследована кинетика поверхностного тока в n-проводящем канале, обусловленном адсорбцией молекул аммиака и воды, в p-n переходах н основе GaAs. Показано, что наличие паров воды в окружающей среде сильно влияет на кривые спадания тока после удаления паров аммиака. Результаты объясняются в рамках простой модели, которая учитывает динамическое равновесие между свободными электронами в проводящем канале и электронами на медленных поверхностных центрах. Характеристическое время каждой экспоненциальной компоненты кривой спадания тока определяется глубиной и плотностью соответствующих поверхностных уровней, а также толщиной проводящего канала.
Досліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку і води, в p-n переходах н основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Результати пояснюються в рамках простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих 130 центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною і щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу.
Исследована кинетика поверхностного тока в n-проводящем канале, обусловленном адсорбцией молекул аммиака и воды, в p-n переходах н основе GaAs. Показано, что наличие паров воды в окружающей среде сильно влияет на кривые спадания тока после удаления паров аммиака. Результаты объясняются в рамках простой модели, которая учитывает динамическое равновесие между свободными электронами в проводящем канале и электронами на медленных поверхностных центрах. Характеристическое время каждой экспоненциальной компоненты кривой спадания тока определяется глубиной и плотностью соответствующих поверхностных уровней, а также толщиной проводящего канала.
Опис
Ключові слова
p-n structure, ammonia vapors, water vapors, adsorption, conducting channel, current decay, surface centers, p-n структура, пари аміаку, водяні пари, адсорбція, провідний канал, спадання струму, поверхневі центри, пары аммиака, водные пары, адсорбция, проводящий канал, спадание тока, поверхностные центры
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics