Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVaksman, Yurii F.-
dc.contributor.authorNitsuk, Yurii A.-
dc.contributor.authorKorenkova, Ganna V.-
dc.contributor.authorВаксман, Юрій Федорович-
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович-
dc.contributor.authorКоренкова, Ганна Валентинівна-
dc.contributor.authorВаксман, Юрий Федорович-
dc.contributor.authorНицук, Юрий Андреевич-
dc.contributor.authorКоренкова, Анна Валентиновна-
dc.date.accessioned2016-12-12T09:50:58Z-
dc.date.available2016-12-12T09:50:58Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113-
dc.description.abstractThe photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ionuk
dc.description.abstractДосліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+.uk
dc.description.abstractИсследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 25.-
dc.subjectzinc tellurideuk
dc.subjectdiffusion dopinguk
dc.subjectvanadium impurityuk
dc.subjectphotoconductivityuk
dc.subjectphotoluminescenceuk
dc.subjectтелурид цинкуuk
dc.subjectдифузійне легуванняuk
dc.subjectдомішка ванадіюuk
dc.subjectфотопровідністьuk
dc.subjectфотолюмінесценціяuk
dc.subjectтеллурид цинкаuk
dc.subjectдиффузионное легированиеuk
dc.subjectпримесь ванадияuk
dc.subjectфотопроводимостьuk
dc.subjectфотолюминесценцияuk
dc.titleStudy of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystalsuk
dc.title.alternativeДослідження домішкової фотопровідності та люмінесценції в кристалах ZnTe:Vuk
dc.title.alternativeИсследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnTe:Vuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20-25.pdf423.03 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.