Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals
Вантажиться...
Дата
2016
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ion
Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+.
Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+.
Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+.
Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+.
Опис
Ключові слова
zinc telluride, diffusion doping, vanadium impurity, photoconductivity, photoluminescence, телурид цинку, дифузійне легування, домішка ванадію, фотопровідність, фотолюмінесценція, теллурид цинка, диффузионное легирование, примесь ванадия, фотопроводимость, фотолюминесценция
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics