Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113
Назва: | Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals |
Інші назви: | Дослідження домішкової фотопровідності та люмінесценції в кристалах ZnTe:V Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnTe:V |
Автори: | Vaksman, Yurii F. Nitsuk, Yurii A. Korenkova, Ganna V. Ваксман, Юрій Федорович Ніцук, Юрій Андрійович Коренкова, Ганна Валентинівна Ваксман, Юрий Федорович Ницук, Юрий Андреевич Коренкова, Анна Валентиновна |
Бібліографічний опис: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Дата публікації: | 2016 |
Видавництво: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Ключові слова: | zinc telluride diffusion doping vanadium impurity photoconductivity photoluminescence телурид цинку дифузійне легування домішка ванадію фотопровідність фотолюмінесценція теллурид цинка диффузионное легирование примесь ванадия фотопроводимость фотолюминесценция |
Серія/номер: | ;Вип. 25. |
Короткий огляд (реферат): | The photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ion Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+. Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113 |
Розташовується у зібраннях: | Photoelectronics |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
20-25.pdf | 423.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.