Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113
Title: Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals
Other Titles: Дослідження домішкової фотопровідності та люмінесценції в кристалах ZnTe:V
Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnTe:V
Authors: Vaksman, Yuriy F.
Nitsuk, Yuriy A.
Korenkova, Ganna V.
Ваксман, Юрій Федорович
Ніцук, Юрій Андрійович
Коренкова, Ганна Валентинівна
Ваксман, Юрий Федорович
Ницук, Юрий Андреевич
Коренкова, Анна Валентиновна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2016
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: zinc telluride
diffusion doping
vanadium impurity
photoconductivity
photoluminescence
телурид цинку
дифузійне легування
домішка ванадію
фотопровідність
фотолюмінесценція
теллурид цинка
диффузионное легирование
примесь ванадия
фотопроводимость
фотолюминесценция
Series/Report no.: 25;
Abstract: The photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ion
Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+.
Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/9113
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20-25.pdf423.03 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.