EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION
Вантажиться...
Дата
2008
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Optimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge
accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical spraying (LEHDS)
method in the air, is achieved at small negative biases (–0.3 V), and for a sample obtained by vacuum deposition method — at any
negative or zero bias. The speed reduction of nonequilibrium charge ejection (optimum storage conditions) located on capture centers
in RSC for a case when sensor obtained by LEHDS method in the air realizes at any negative bias, and for a sample obtained by vacuum
deposition — at V = –0,4V.Визначено оптимальні умови для нагромадження і збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальна швидк
ість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого отриманий методом електрогідродинамічного
розпилення рідини (ЕГДРР) у повітрі, досягається при невеликих негативних зсувах (0.3 В), а для зразка, отриманого вакуумним
осадженням при будь-яких негативних зсувахабо нульовому зсуві. Зменшення швидкості викиду локалізованого
на центрах захоплення в ОПЗ нерівновагого заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора методом
ЕГДРР у повітрі здійснюється при будь-яких негативних зсувах, а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при
V = 0,4V.Определены оптимальные условия для накопления и хранения неравновесного положительного заряда. Максимальная
скорость накопления заряда для образца, базовый слой сульфида кадмия которого получен методом электрогидродинами-
ческого распыления жид кости (ЭГДРЖ) на воздухе, достигается при небольших отрицательных смещениях (–0.3 В), а для
образца, полученного вакуумным осаждением – при любых отрицательных или нулевом смещении. Уменьшение скорости
выброса локализованного на центрах захвата в ОПЗ неравновесного заряда (оптимальные условия хранения) для случая
получения сенсора методом ЭГДРЖ на воздухе осуществляется при любых отрицательных смещениях, а для образца, полу-
ченного вакуумным осаждением – при V = –0,4V.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.