Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/85
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.-
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.-
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.-
dc.contributor.authorZatovska, Nataliia P.-
dc.contributor.authorBalaban, Andrii P.-
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович-
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич-
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна-
dc.contributor.authorЗатовська, Наталія Петрівна-
dc.contributor.authorБалабан, Андрій Петрович-
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич-
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович-
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна-
dc.contributor.authorЗатовская, Наталия Петровна-
dc.contributor.authorБалабан, Андрей Петрович-
dc.date.accessioned2010-08-26T10:06:34Z-
dc.date.available2010-08-26T10:06:34Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/85-
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.uk
dc.description.abstractOptimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical spraying (LEHDS) method in the air, is achieved at small negative biases (–0.3 V), and for a sample obtained by vacuum deposition method — at any negative or zero bias. The speed reduction of nonequilibrium charge ejection (optimum storage conditions) located on capture centers in RSC for a case when sensor obtained by LEHDS method in the air realizes at any negative bias, and for a sample obtained by vacuum deposition — at V = –0,4V.Визначено оптимальні умови для нагромадження і збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальна швидк ість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого отриманий методом електрогідродинамічного розпилення рідини (ЕГДРР) у повітрі, досягається при невеликих негативних зсувах (0.3 В), а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при будь-яких негативних зсувахабо нульовому зсуві. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівновагого заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора методом ЕГДРР у повітрі здійснюється при будь-яких негативних зсувах, а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при V = 0,4V.Определены оптимальные условия для накопления и хранения неравновесного положительного заряда. Максимальная скорость накопления заряда для образца, базовый слой сульфида кадмия которого получен методом электрогидродинами- ческого распыления жид кости (ЭГДРЖ) на воздухе, достигается при небольших отрицательных смещениях (–0.3 В), а для образца, полученного вакуумным осаждением – при любых отрицательных или нулевом смещении. Уменьшение скорости выброса локализованного на центрах захвата в ОПЗ неравновесного заряда (оптимальные условия хранения) для случая получения сенсора методом ЭГДРЖ на воздухе осуществляется при любых отрицательных смещениях, а для образца, полу- ченного вакуумным осаждением – при V = –0,4V.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseriesPhotoelectronics;№17. - Р. 23 - 27.-
dc.titleEXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTIONuk
dc.title.alternativeВПЛИВ ЗОВНІШНЬОГО ЗМІЩЕННЯ НА ПЕРЕХІДНІ ПРОЦЕСИ В НЕІДЕАЛЬНОМУ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО СМЕЩЕНИЯ НА ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В НЕИДЕАЛЬНОМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ.uk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN_17-2.pdf690.2 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.