EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION

Анотація
Optimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical spraying (LEHDS) method in the air, is achieved at small negative biases (–0.3 V), and for a sample obtained by vacuum deposition method — at any negative or zero bias. The speed reduction of nonequilibrium charge ejection (optimum storage conditions) located on capture centers in RSC for a case when sensor obtained by LEHDS method in the air realizes at any negative bias, and for a sample obtained by vacuum deposition — at V = –0,4V.Визначено оптимальні умови для нагромадження і збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальна швидк ість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого отриманий методом електрогідродинамічного розпилення рідини (ЕГДРР) у повітрі, досягається при невеликих негативних зсувах (0.3 В), а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при будь-яких негативних зсувахабо нульовому зсуві. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівновагого заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора методом ЕГДРР у повітрі здійснюється при будь-яких негативних зсувах, а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при V = 0,4V.Определены оптимальные условия для накопления и хранения неравновесного положительного заряда. Максимальная скорость накопления заряда для образца, базовый слой сульфида кадмия которого получен методом электрогидродинами- ческого распыления жид кости (ЭГДРЖ) на воздухе, достигается при небольших отрицательных смещениях (–0.3 В), а для образца, полученного вакуумным осаждением – при любых отрицательных или нулевом смещении. Уменьшение скорости выброса локализованного на центрах захвата в ОПЗ неравновесного заряда (оптимальные условия хранения) для случая получения сенсора методом ЭГДРЖ на воздухе осуществляется при любых отрицательных смещениях, а для образца, полу- ченного вакуумным осаждением – при V = –0,4V.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
Ключові слова
Бібліографічний опис
DOI
ORCID:
УДК
Зібрання