DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/85

Название: EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION
Другие названия: ВПЛИВ ЗОВНІШНЬОГО ЗМІЩЕННЯ НА ПЕРЕХІДНІ ПРОЦЕСИ В НЕІДЕАЛЬНОМУ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІ
ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО СМЕЩЕНИЯ НА ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В НЕИДЕАЛЬНОМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ.
Авторы: Smyntyna, V. A.
Borschak, V. A.
Kutalova, M. I.
Zatovskaya, N. P.
Balaban, A. P.
Сминтина, В. А.
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, М. І.
Затовськая, Н. П.
Балабан, А. П.
Смынтына, В. А.
Борщак, Віталій Анатолійович
Куталова, М. И.
Затовская, Н. П.
Балабан, А. П.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Серия/номер: Photoelectronics;№17. - Р. 23 - 27.
Краткий осмотр (реферат): Optimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical spraying (LEHDS) method in the air, is achieved at small negative biases (–0.3 V), and for a sample obtained by vacuum deposition method — at any negative or zero bias. The speed reduction of nonequilibrium charge ejection (optimum storage conditions) located on capture centers in RSC for a case when sensor obtained by LEHDS method in the air realizes at any negative bias, and for a sample obtained by vacuum deposition — at V = –0,4V.Визначено оптимальні умови для нагромадження і збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальна швидк ість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого отриманий методом електрогідродинамічного розпилення рідини (ЕГДРР) у повітрі, досягається при невеликих негативних зсувах (0.3 В), а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при будь-яких негативних зсувахабо нульовому зсуві. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівновагого заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора методом ЕГДРР у повітрі здійснюється при будь-яких негативних зсувах, а для зразка, отриманого вакуумним осадженням при V = 0,4V.Определены оптимальные условия для накопления и хранения неравновесного положительного заряда. Максимальная скорость накопления заряда для образца, базовый слой сульфида кадмия которого получен методом электрогидродинами- ческого распыления жид кости (ЭГДРЖ) на воздухе, достигается при небольших отрицательных смещениях (–0.3 В), а для образца, полученного вакуумным осаждением – при любых отрицательных или нулевом смещении. Уменьшение скорости выброса локализованного на центрах захвата в ОПЗ неравновесного заряда (оптимальные условия хранения) для случая получения сенсора методом ЭГДРЖ на воздухе осуществляется при любых отрицательных смещениях, а для образца, полу- ченного вакуумным осаждением – при V = –0,4V.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/85
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN_17-2.pdf690,2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь