Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7984
Title: About performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors based on silicon mos structures with a nanodimensional silicon oxide
Other Titles: Про лінійність робочої характеристики ємнісних сенсорів вологості газових середовищ на основі кремнієвих мон – структур з нанорозмірним оксидним шаром
Authors: Fastykovsky, Pavel P.
Glauberman, Mihail A.
Фастиковський, Павло Петрович
Глауберман, Михайло Абович
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2015
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: humidity sensor
performance
linearity
capacitance
MOS structure
сенсор вологості
робоча характеристика
лінійність
ємність
МОН – структура
Series/Report no.: ;Т. 12, № 4
Abstract: The purpose of this work is to establish the reason for the performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors, based on silicon MOS structures with a nanodimensional silicon oxide being in depletion or weak inversion modes.
Метою роботи є встановлення причини лінійності робочої характеристики ємнісних сенсорів вологості газових середовищ на основі кремнієвих МОН – структур з нанорозмірним оксидним шаром, що знаходяться у режимах збіднення або слабкої інверсії.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7984
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14-15.pdf203.37 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.