Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7296
Title: Investigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layers
Other Titles: Моделювання швидкої фази спаду сигналу оптичного сенсору на основі гетеростуктури CdS-Cu2S
Моделирование быстрой фазы спада сигнала оптического сенсора на основе гетероструктуры CdS-Cu2S
Authors: Borshchak, Vitalii A.
Brytavskyi, Yevhen V.
Kutalova, Mariia I.
Борщак, Віталій Анатолійович
Бритавський, Євген Вікторович
Куталова, Марія Іванівна
Борщак, Виталий Анатольевич
Бритавский, Евгений Викторович
Куталова, Мария Ивановна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2015
Publisher: Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Keywords: nonideal heterojunction
image sensor
phase composition
XRD
неідеальний гетероперехід
сенсор зображень
фазовий склад
рентгено-структурний аналіз
неидеальный гетеропереход
сенсор зображений
фазовый состав
рентгено-структурный анализ
Series/Report no.: ;№ 24, р. 72-76.
Abstract: A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted
Робота присвячена комплексу досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв’язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії.
Работа посвящена комплексу исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7296
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
72-76.pdf334.02 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.