Investigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layers
Вантажиться...
Дата
2015
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted
Робота присвячена комплексу досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв’язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії.
Работа посвящена комплексу исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
Робота присвячена комплексу досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв’язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії.
Работа посвящена комплексу исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015.
Ключові слова
nonideal heterojunction, image sensor, phase composition, XRD, неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, фазовий склад, рентгено-структурний аналіз, неидеальный гетеропереход, сенсор зображений, фазовый состав, рентгено-структурный анализ
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics