Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7293
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVaksman, Yurii F.-
dc.contributor.authorNitsuk, Yurii A.-
dc.contributor.authorВаксман, Юрий Федорович-
dc.contributor.authorНицук, Юрий Андреевич-
dc.contributor.authorВаксман, Юрій Федорович-
dc.contributor.authorНіцук, Юрій Андрійович-
dc.date.accessioned2015-10-06T08:42:24Z-
dc.date.available2015-10-06T08:42:24Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7293-
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015.uk
dc.description.abstractThe photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectra region are studied. The scheme of optical transitions within Cr2+ impurity centers is established. It is shown that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnSe:Cr crystals is controlled by optical transitions of electrons from the 5T2(D) ground state to the higher levels of excited states of Cr2+ ions, with subsequent thermal activation of the electrons to the conduction band. Efficient excitation of intracenter luminescence of ZnSe:Cr crystals is attained with light corresponding to the region of intrinsic absorption in Cr2+ ions.uk
dc.description.abstractИсследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектра. Установлена схема оптических переходов, происходящих в пределах примесных центров Cr2+. Показано, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Cr обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 5T2(D) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона Cr2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Cr осуществляется светом из области примесного поглощения.uk
dc.description.abstractДосліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру. Встановлено схему оптичних переходів в межах домішкових центрів Cr2+. Показано, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnSe:Cr обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 5T2(D) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону Cr2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnSe:Cr відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів Cr2+.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 24.-
dc.subjectселенид цинкаuk
dc.subjectдиффузионное легированиеuk
dc.subjectпримесь хромаuk
dc.subjectфотопроводимостьuk
dc.subjectфотолюминесценцияuk
dc.subjectселенід цинкуuk
dc.subjectдифузійне легуванняuk
dc.subjectдомішка хромуuk
dc.subjectфотопровідністьuk
dc.subjectфотолюмінесценціяuk
dc.titlePhotoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral regionuk
dc.title.alternativeФотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектраuk
dc.title.alternativeФотопровідність і фотолюмінесценція кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектруuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5-10.pdf473.07 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.