Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7293
Title: | Photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral region |
Other Titles: | Фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектра Фотопровідність і фотолюмінесценція кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру |
Authors: | Vaksman, Yurii F. Nitsuk, Yurii A. Ваксман, Юрий Федорович Ницук, Юрий Андреевич Ваксман, Юрій Федорович Ніцук, Юрій Андрійович |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Keywords: | селенид цинка диффузионное легирование примесь хрома фотопроводимость фотолюминесценция селенід цинку дифузійне легування домішка хрому фотопровідність фотолюмінесценція |
Series/Report no.: | ;Вип. 24. |
Abstract: | The photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectra region are studied. The scheme of optical transitions within Cr2+ impurity centers is established. It is shown that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnSe:Cr crystals is controlled by optical transitions of electrons from the 5T2(D) ground state to the higher levels of excited states of Cr2+ ions, with subsequent thermal activation of the electrons to the conduction band. Efficient excitation of intracenter luminescence of ZnSe:Cr crystals is attained with light corresponding to the region of intrinsic absorption in Cr2+ ions. Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектра. Установлена схема оптических переходов, происходящих в пределах примесных центров Cr2+. Показано, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Cr обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 5T2(D) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона Cr2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Cr осуществляется светом из области примесного поглощения. Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру. Встановлено схему оптичних переходів в межах домішкових центрів Cr2+. Показано, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnSe:Cr обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 5T2(D) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону Cr2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnSe:Cr відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів Cr2+. |
Description: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/7293 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.