Дослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux S
Вантажиться...
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Проведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії
A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted.
Проведен комплекс исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted.
Проведен комплекс исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал
Ключові слова
неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, фазовий склад, рентгеноструктурний аналіз, nonideal heterojunction, image sensor, phase composition, XRD, неидеальный гетеропереход, сенсор изображений, фазовый состав, рентгеноструктурный анализ
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies