DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/6141

Название: Дослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux S
Другие названия: Investigation of component composition of CdS-Cux S sensoric layers
Исследования компонентного состава слоев сенсорной структуры CdS-Cux S
Авторы: Борщак, Віталій Анатолійович
Сминтина, Валентин Андрійович
Бритавський, Євгеній Вікторович
Borschak, Vitaliy A.
Smyntyna, Valentin A.
Brytavskyi, Evgeniy
Борщак, Виталий Анатольевич
Смынтына, Валентин Андреевич
Бритавский, Евгений Викторович
Ключевые слова: неідеальний гетероперехід
сенсор зображень
фазовий склад
рентгеноструктурний аналіз
nonideal heterojunction
image sensor
phase composition
XRD
неидеальный гетеропереход
сенсор изображений
фазовый состав
рентгеноструктурный анализ
Дата публикации: 2014
Издатель: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Серия/номер: ;Т. 11, №4, С. 97-102.
Краткий осмотр (реферат): Проведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії
A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted.
Проведен комплекс исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/6141
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
97-102ф.pdf352,17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь