Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5809
Title: Atom of hydrogen and Wannier-Mott exciton in crossed electric and magnetic fields
Other Titles: Атом водню i ексітон Ваньє-Мотта в схрещених електричному i магнітному полях
Атом водорода и экситон Ванье-Мотта в скрещенных электрическом и магнитном полях
Authors: Fedchuk, Oleksandr P.
Glushkov, Oleksandr V.
Lepikh, Yaroslav I.
Ignatenko, Anna V.
Kvasikova, A. S.􀀑
Федчук, Олександр Петрович
Глушков, Олександр Васильович
Лепіх, Ярослав Ілліч
Ігнатенко, Ганна Володимирівна
Квасікова, Г. С.
Федчук, Александр Петрович
Глушков, Александр Васильевич
Лепих, Ярослав Ильич
Игнатенко, Анна Владимировна
Квасикова, А. С.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2014
Publisher: Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Keywords: atom
exciton
crossed electric and magnetic fields
атом
екситон
схрещені електричне і магнітне поля
атом
экситон
скрещенные электрическое и магнитное поля
Series/Report no.: ;№ 23, р. 176-181.
Abstract: Spectroscopy of atoms in the crossed external electric and magnetic fields is investigated on the basis of the operator perturbation theory. The data for ground state energies of the hydrogen atom in sufficiently weak crossed external electric and magnetic fields are calculated. Generalization of the method on a case of the Wannier-Mott excitons in the bulk semiconductors in a case of the crossed fields is given.
Вивчається спектроскопія атомів в схрещених зовнішніх електричних і магнітних полях на основі операторної теорії збурень. Наведено результати розрахунку енергії основного стану атому водню в достатньо слабких схрещених електричному та магнітному полях. Надано узагальнення методу на випадок екситонів Ваньє-Мотта в напівпровідниках у випадку наявності схрещених зовнішніх полів.
Изучается спектроскопия атомов в скрещенных внешних электрических и магнитных полях на основе операторной теории возмущений. Приведены результаты расчета энергии основного состояния атому водорода в достаточно слабых скрещенных электрическом и магнитном полях. Дано обобщение метода на случай экситонов Ванье-Мотта в полупроводниках в случае наличия скрещенных внешних полей.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5809
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
176-181+.pdf284.12 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.