Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5771
Назва: | Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S |
Інші назви: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Автори: | Borshchak, Vitalii A. Smyntyna, Valentyn A. Brytavskyi, Yevhen V. Борщак, Виталий Анатольевич Борщак, Віталій Анатолійович |
Бібліографічний опис: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Дата публікації: | 2014 |
Видавництво: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Ключові слова: | nonideal heterojunction image sensor deep traps tunneling |
Серія/номер: | ;№ 23, р. 152-155. |
Короткий огляд (реферат): | The work is devoted to modeling and calculation of the spatial distribution of the concentration of charge localized in the space charge region (SCR) heterojunction, this distribution changes with time at different initial filling of deep traps centers nonequilibrium holes. Within the framework described model the theoretical calculation of two characteristic stages of relaxation current, compliance with the calculated and experimentally obtained dependencies was demonstrated. |
Опис: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5771 |
Розташовується у зібраннях: | Photoelectronics |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
152-155+.pdf | 173.45 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.