Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5762
Title: | Determination of band gap of semiconductor material in end product |
Other Titles: | Визначення ширини забароненої зони напівпровідникового матеріалу в готовому виробі Определение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала в готовом изделии |
Authors: | Bak, A. Yu. Karakis, Yurii M. Kutalova, Mariia I. Chebanenko, Anatoliy P. Бак, А. Ю. Каракіс, Юрій Миколайович Ступак, Олександра Едуардівна Куталова, Марія Іванівна Чебаненко, Анатолій Павлович Stupak, Oleksandra E. Бак, А. Ю. Каракис, Юрий Николаевич Ступак, Александра Эдуардовна Куталова, Мария Ивановна Чебаненко, Анатолий Павлович |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Keywords: | determination of band gap semiconductor material activation energy ширина забороненої зони енергія активації напівпровідник ширина запрещенной зоны энергия активации полупроводник |
Series/Report no.: | ;№ 23, р. 124-130. |
Abstract: | The paper puts forward a method for determination of semiconductor activation energy in end product. It is illustrated that band gap can be calculated at cutoffs on both axes of graphs ln(I) ÷U, measured at different temperatures. Minimum temperature interval is determined depending on measuring accuracy. A new method for determination of value Eg without VAC extrapolation is put forward. Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох осях графіків ln(I)÷U, виміряних при різних температурах. Визначений мінімальний температурний інтервал в залежності від точності вимірювань. Вказано новий засіб визначення Еg без екстраполяції ВАХ. Предложен метод определения энергии активации полупроводника в готовом изделии. Показано, что ширину запрещённой зоны можно рассчитать по отсечкам на обеих осях графиков ln(I)÷U, измеренных при разных температурах. Определён минимальный температурный интервал в зависимости от точности измерений. Указан новый способ определения величины Еg без экстраполяции ВАХ. |
Description: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5762 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
124-130+.pdf | 460.05 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.