One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon
Вантажиться...
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Raman scattering from highly/low resistive nanostructured silicon films prepared by metal-assisted chemical etching was investigated. Raman spectrum of obtained silicon nanostructures was measured. Interpretation of observed one and two-phonon Raman peaks are presented. First-order Raman peak has a redshift and broadening. This phenomenon is analyzed in the framework of the phonon confinement model taking into account mechanical stress effects. Second-order Raman peaks were found to be shifted and broadened in comparison to those in the bulk silicon. The peak shift and broadening of two-phonon Raman scattering relates to phonon confinement and disorder. A broad Raman peak between 900-1100 cm-1 corresponds to superposition of three transverse optical phonons ~2TO (X), 2TO (W) and 2TO (L). Influence of excitation wavelength on intensity redistribution of two-phonon Raman scattering components (2TO) is demonstrated and preliminary theoretical explanation of this observation is presented.
В работе представлено исследование комбинационного рассеяния (КРС) наноструктурированного кремния полученного методом химического неэлектролитического травления. Представлена интерпретация наблюдаемых одно и двухфононных пиков КРС. Было выявлено, что пики КРС первого и второго порядка смещаются и уширяются относительно пика объемного кремния. Данное явление анализируется в рамках фононного конфайнмента с учетом механи¬ческих напряжений. Широкий пик КРС второго порядка в области 900-1100 см-1 соответствует суперпозиции трех поперечных оптических фононов ~ 2ТО (X), 2ТО (W) и 2ТО (L).
У роботі представлено дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію отриманого методом хімічного неелектролітіческіх травлення. Представлена інтерпретація спостережуваних одне і двухфононних піків КРС. Було виявлено, що піки КРС першого і другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об’ємного кремнію. Дане явище аналізується в рамках фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900-1100 см-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2ТО (X), 2ТО (W) і 2ТО (L).
В работе представлено исследование комбинационного рассеяния (КРС) наноструктурированного кремния полученного методом химического неэлектролитического травления. Представлена интерпретация наблюдаемых одно и двухфононных пиков КРС. Было выявлено, что пики КРС первого и второго порядка смещаются и уширяются относительно пика объемного кремния. Данное явление анализируется в рамках фононного конфайнмента с учетом механи¬ческих напряжений. Широкий пик КРС второго порядка в области 900-1100 см-1 соответствует суперпозиции трех поперечных оптических фононов ~ 2ТО (X), 2ТО (W) и 2ТО (L).
У роботі представлено дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію отриманого методом хімічного неелектролітіческіх травлення. Представлена інтерпретація спостережуваних одне і двухфононних піків КРС. Було виявлено, що піки КРС першого і другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об’ємного кремнію. Дане явище аналізується в рамках фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900-1100 см-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2ТО (X), 2ТО (W) і 2ТО (L).
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.
Ключові слова
porous silicon, Raman scattering, metal-assisted chemical etching, пористый кремний, Рамановское рассеяние, неэлектролитическое травление, поруватий кремній, Раманівське розсіяння, неелектролітичне травлення
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics