Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5748
Title: One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon
Other Titles: Одно и двухфононное рамановское рассеяние наноструктурированного кремния
Одно та дфохфононе раманівське розсіяння наноструктурованого кремнію
Authors: Iatsunskyi, Igor R.
Nowaczyk, G.
Pavlenko, Mykola V.
Fedorenko, V. V.
Smyntyna, Valentyn A.
Яцунский, Игорь Ростиславович
Новачик, Г.
Павленко, Николай Николаевич
Федоренко, В. В.
Смынтына, Валентин Андреевич
Яцунський, Ігор Ростиславович
Новачик, Г.
Павленко, Микола Миколайович
Федоренко, В. В.
Сминтина, Валентин Андрійович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2014
Publisher: Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Keywords: porous silicon
Raman scattering
metal-assisted chemical etching
пористый кремний
Рамановское рассеяние
неэлектролитическое травление
поруватий кремній
Раманівське розсіяння
неелектролітичне травлення
Series/Report no.: ;№ 23, р. 44-53.
Abstract: Raman scattering from highly/low resistive nanostructured silicon films prepared by metal-assisted chemical etching was investigated. Raman spectrum of obtained silicon nanostructures was measured. Interpretation of observed one and two-phonon Raman peaks are presented. First-order Raman peak has a redshift and broadening. This phenomenon is analyzed in the framework of the phonon confinement model taking into account mechanical stress effects. Second-order Raman peaks were found to be shifted and broadened in comparison to those in the bulk silicon. The peak shift and broadening of two-phonon Raman scattering relates to phonon confinement and disorder. A broad Raman peak between 900-1100 cm-1 corresponds to superposition of three transverse optical phonons ~2TO (X), 2TO (W) and 2TO (L). Influence of excitation wavelength on intensity redistribution of two-phonon Raman scattering components (2TO) is demonstrated and preliminary theoretical explanation of this observation is presented.
В работе представлено исследование комбинационного рассеяния (КРС) наноструктурированного кремния полученного методом химического неэлектролитического травления. Представлена интерпретация наблюдаемых одно и двухфононных пиков КРС. Было выявлено, что пики КРС первого и второго порядка смещаются и уширяются относительно пика объемного кремния. Данное явление анализируется в рамках фононного конфайнмента с учетом механи¬ческих напряжений. Широкий пик КРС второго порядка в области 900-1100 см-1 соответствует суперпозиции трех поперечных оптических фононов ~ 2ТО (X), 2ТО (W) и 2ТО (L).
У роботі представлено дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію отриманого методом хімічного неелектролітіческіх травлення. Представлена інтерпретація спостережуваних одне і двухфононних піків КРС. Було виявлено, що піки КРС першого і другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об’ємного кремнію. Дане явище аналізується в рамках фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900-1100 см-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2ТО (X), 2ТО (W) і 2ТО (L).
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/5748
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
44-53+.pdf402.18 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.