Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/541
Title: ФІЗИЧНІ ТА МОДЕЛЬНІ УЯВЛЕННЯ ПРО ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ЕФЕКТИ В БІПОЛЯРНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Other Titles: PHYSICAL AND MODELLING CONCEPTS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN BIPOLAR SEMICONDUCTOR STRUCTURES
ФИЗИЧЕСКИЕ И МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЕФФЕКТАХ В БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Authors: Глауберман, М. А.
Єгоров, В. В.
Каніщева, Н. А.
Козел, В. В.
Glauberman, M. A.
Yegorov, V. V.
Kanischeva, N. A.
Kozel, V. V.
Глауберман, М. А.
Егоров, В. В.
Канищева, Н. А.
Козел, В. В.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2006
Publisher: Астропринт
Keywords: напівпровідникові структури
магніточутливі структури
магнітотран-зистори
моделювання
semiconductor structures
magnetosensing structures
magnetotransistors
modelling
полупроводниковые структуры
магниточувствительные структуры
магнитотранзисторы
моделирование
Series/Report no.: ;№ 1. - Р. 8 - 17.
Abstract: Аналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов. The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespective of their magnetic axis orientation. The BMS's sensitivity mechanisms having the charge mobility as the determining parameter allow a in-single model notion, and can be viewed as a single redistribution mechanism. When determined by transduction efficiency, the BMS magnetic sensitivity is quite correctly described by one-dimensional continuity equation irrespective of the boundary conditions. Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт -
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/541
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
sens1_06_8-17.pdf.pdf331.1 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.