DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/541

Название: ФІЗИЧНІ ТА МОДЕЛЬНІ УЯВЛЕННЯ ПРО ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ЕФЕКТИ В БІПОЛЯРНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ
Другие названия: PHYSICAL AND MODELLING CONCEPTS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN BIPOLAR SEMICONDUCTOR STRUCTURES
ФИЗИЧЕСКИЕ И МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЕФФЕКТАХ В БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Авторы: Глауберман, М. А.
Єгоров, В. В.
Каніщева, Н. А.
Козел, В. В.
Glauberman, M. A.
Yegorov, V. V.
Kanischeva, N. A.
Kozel, V. V.
Глауберман, М. А.
Егоров, В. В.
Канищева, Н. А.
Козел, В. В.
Ключевые слова: напівпровідникові структури
магніточутливі структури
магнітотран-зистори
моделювання
semiconductor structures
magnetosensing structures
magnetotransistors
modelling
полупроводниковые структуры
магниточувствительные структуры
магнитотранзисторы
моделирование
Дата публикации: 2006
Издатель: Астропринт
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Серия/номер: ;№ 1. - Р. 8 - 17.
Краткий осмотр (реферат): Аналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов. The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespective of their magnetic axis orientation. The BMS's sensitivity mechanisms having the charge mobility as the determining parameter allow a in-single model notion, and can be viewed as a single redistribution mechanism. When determined by transduction efficiency, the BMS magnetic sensitivity is quite correctly described by one-dimensional continuity equation irrespective of the boundary conditions. Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт -
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/541
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
sens1_06_8-17.pdf.pdf331,1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь