Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorKulinich, O.-
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.-
dc.contributor.authorChemeresuk, Geogriy G.-
dc.contributor.authorYatsunsky, I.-
dc.contributor.authorКулініч, О. А.-
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович-
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович-
dc.contributor.authorЯцунский, І. Р.-
dc.contributor.authorКулинич, О. А.-
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович-
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович-
dc.contributor.authorЯцунский, И. Р.-
dc.date.accessioned2010-09-23T12:18:37Z-
dc.date.available2010-09-23T12:18:37Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539-
dc.description.abstractThe paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 1.-
dc.subjectcatastrophic degradationuk
dc.subjectMOS — transistouk
dc.subjectsiliconuk
dc.subjectкатастрофічна деградаціяuk
dc.subjectМОН — транзисторuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectкатастрофическая деградацияuk
dc.subjectМОП — транзисторuk
dc.subjectкремнийuk
dc.titleInvestigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradationuk
dc.title.alternativeДослідження причин катастрофічної деградації параметрів кремнієвих МОН — транзисторівuk
dc.title.alternativeИсследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых МОП - транзисторовuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
85 - 89.pdf327.99 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.