Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Kulinich, O. | - |
dc.contributor.author | Glauberman, Mykhailo A. | - |
dc.contributor.author | Chemeresuk, Geogriy G. | - |
dc.contributor.author | Yatsunsky, I. | - |
dc.contributor.author | Кулініч, О. А. | - |
dc.contributor.author | Глауберман, Михайло Абович | - |
dc.contributor.author | Чемересюк, Георгій Гаврилович | - |
dc.contributor.author | Яцунский, І. Р. | - |
dc.contributor.author | Кулинич, О. А. | - |
dc.contributor.author | Глауберман, Михаил Аббович | - |
dc.contributor.author | Чемересюк, Георгий Гаврилович | - |
dc.contributor.author | Яцунский, И. Р. | - |
dc.date.accessioned | 2010-09-23T12:18:37Z | - |
dc.date.available | 2010-09-23T12:18:37Z | - |
dc.date.issued | 2005 | - |
dc.identifier.citation | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies | uk |
dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539 | - |
dc.description.abstract | The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений. | uk |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;№ 1. | - |
dc.subject | catastrophic degradation | uk |
dc.subject | MOS — transisto | uk |
dc.subject | silicon | uk |
dc.subject | катастрофічна деградація | uk |
dc.subject | МОН — транзистор | uk |
dc.subject | кремній | uk |
dc.subject | катастрофическая деградация | uk |
dc.subject | МОП — транзистор | uk |
dc.subject | кремний | uk |
dc.title | Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation | uk |
dc.title.alternative | Дослідження причин катастрофічної деградації параметрів кремнієвих МОН — транзисторів | uk |
dc.title.alternative | Исследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых МОП - транзисторов | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
85 - 89.pdf | 327.99 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.