Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation
Вантажиться...
Дата
2005
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors,
formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be:
- thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the
contact area, resulting in brittleness of the contacts,
- breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the
photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface
and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН-
транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами
деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих
з'єднань, що приводить до охрупчування контактів;
- порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення
технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію
і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов,
которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами
деградации являются:
- обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта
интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов;
- нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие
нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры
на поверхности кремния и образования силицидных соединений.
Опис
Ключові слова
catastrophic degradation, MOS — transisto, silicon, катастрофічна деградація, МОН — транзистор, кремній, катастрофическая деградация, МОП — транзистор, кремний
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies