Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539
Title: Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation
Other Titles: Дослідження причин катастрофічної деградації параметрів кремнієвих МОН — транзисторів
Исследование причин катастрофической деградации параметров кремниевых МОП - транзисторов
Authors: Kulinich, O.
Glauberman, Mihail A.
Chemeresuk, Geogriy G.
Yatsunsky, I.
Кулініч, О. А.
Глауберман, Михайло Абович
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Яцунский, І. Р.
Кулинич, О. А.
Глауберман, Михайло Абович
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Яцунский, И. Р.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2005
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: catastrophic degradation
MOS — transisto
silicon
катастрофічна деградація
МОН — транзистор
кремній
катастрофическая деградация
МОП — транзистор
кремний
Series/Report no.: ;№ 1
Abstract: The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/539
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
85 - 89.pdf327.99 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.