ПЕРЕХОДИ ВАЖКОЇ ДІРКИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ І МОЖЛИВОСТІ ЇХ ВИКОРИСТАННЯ В НАНОЛАЗЕРІ
Вантажиться...
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Приводиться теоретичний аналіз можливості використання переходів важкої дірки між еквідистантною серією рівнів у адіабатичному потенціалі електрона в напівпровіднико -вих квантових точках у оптичному нанолазері.Проводится теоретический анализ возможности использования переходов тяжелой дырки между эквидистантной серией уровней в адиабатическом потенциале электрона в полупроводниковых квантовых точках в оптическом нанолазере. We discuss energy spectrum of electron-hole pairs in a quasi-zero-dimensional system
consisting of spherical semiconductor quantum dots placed in transparent dielectric matrice. We
study theoretically the prospect of using hole transitions between equidistant series of quantum
levels observed in quantum dots iv design of a nanoleser.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2004.
Ключові слова
transitions the heavy hole, adiabatic potential, quantum dots, nanolaser, переходи важкої дірки, адіабатичний потенціал, квантові точки, нанолазер, переходы тяжелой дырки, адиабатический потенциал, квантовые точки, нанолазер
Бібліографічний опис
Sensor Electronics and Microsystem Technologies