Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/535
Title: MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate
Other Titles: МДН-фототранзистор з p-n-…-p-n-структурою в якості затвору
МДП-фототразистор с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора
Authors: Vikulin, Ivan M.
Kurmashev, Sh. D.
Mingalev, V. A.
Tumanov, U. G.
Вікулін, Іван Михайлович
Курмашов, Ш. Д.
Мінгалєв, В. А.
Туманів, Ю. Г.
Викулин, Иван Михайлович
Курмашев, Ш. Д.
Мингалев, В. А.
Туманов, Ю. Г.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2005
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: field-effect transistor
MIS-structure
phototransistor
p-n-junction
польвий транзистор
МДН-структура
фототранзистор
p-n-перехід
полевой транзистор
МДП-структура
фототранзистор
p-n-переход
Series/Report no.: ;№ 2
Abstract: The physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/535
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4-7.pdf101.63 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.