Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions
Вантажиться...
Файли
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been
studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image
even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the
space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the
exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at
the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This
fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the
trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability
being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального
гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может
достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом,
захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный
рекомбинационный барьер.
Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех
точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным
временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что
неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности
концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода.
Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати
сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагим
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies