Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/534
Title: Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions
Other Titles: Релаксация сигнала в сенсоре изображения на основе неидеального гетероперехода
Релаксація сигналу в сенсорі зображення на базі неідеального гетеропереходу
Authors: Smyntyna, Valentyn A.
Borshchak, Vitalii A.
Balaban, A. P.
Смынтына, Валентин Андреевич
Борщак, Виталий Анатольевич
Балабан, А. П.
Сминтина, Валентин Андрійович
Борщак, Віталій Анатолійович
Балабан, А. П.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2004
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Series/Report no.: ;№ 1
Abstract: Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом, захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный рекомбинационный барьер. Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагим
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/534
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
41-44.pdf51.79 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.